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介绍了混频器的关键性能和参数

归档日期:04-24       文本归类:二阶参数连续      文章编辑:爱尚语录

  ,定义了不同参数的下限指标,包括接收机的灵敏度和大信号性能。这些关键指标对无线基站中的每个射频功能模块提出了设计挑战。在接收信号通路,混频器性能主要影响接收机的灵敏度和大信号性能。本文介绍了混频器的关键性能和参数,有助于设计接收通道时选择最佳的混频器。

  因为接收到的信号经过两次连续的下变频,变换到较低频率,这些接收机被称为超外差式接收机。如图所示,信号通过天线级RF滤波器滤波,该滤波器通常用于滤除无用信号。随后,该滤波器输出通过一个LNA (低噪声放大器)进行放大,该放大器通常具有非常低的噪声系数。

  放大信号通过第2级RF滤波器再次进行滤波,该滤波器滤除限制混频器性能的无用信号的同时还对频率范围加以限制。经过滤波后带宽受限的信号被送入第一级混频器,在此通过与LO (本振)信号混频,下变频至一次IF频率。根据接收机结构的不同,该IF信号可以进一步下变频至更低的二次IF频率,然后送入基带进行解调处理。

  现在,我们开始研究接收链路中的混频器。因为影响接收机灵敏度和大信号性能的主要因素是混频器参数,应该对其进行仔细分析。

  混频器的噪声系数表示从输入至输出的SNR (信噪比)衰减,该比值通常用对数表示(dB),如式1所示:

  另一个重要参数是变换增益(或变换损耗)。变换增益是判断混频器配置为有源架构或无源架构的重要依据。无源混频器不包含放大信号的元件,存在插入损耗(称为变换损耗);而有源混频器包含有源器件,能够提供变换增益。

  可以采用两种配置实现有源混频器:基于平衡(吉尔伯特单元)架构设计的集成混频器,或结合IF放大级的无源混频器,提供增益而非损耗。由于集成混频器具有放大能力,不需要额外的IF放大级补偿插入损耗。

  变换增益(或损耗)用对数表示,单位为dB,如式2所示,是频率的函数,定义在混频器的整个工作频率范围内。为了保证最佳接收性能,变换增益/损耗的变化应该在规定频率范围内尽可能小。

  由于无线基站通常工作在温度波动的环境下,应该给出整个工作温度范围内变换增益/损耗的规格,而且要求变化量尽可能小。由于正常工作条件下,较小的温度变化范围对设计裕量的要求也较小,而设计裕量对于系统规划非常有用,因此,温度范围在设计中是非常重要的因素。

  混频器在大信号下的特性利用一个称为“1dB压缩点” (该指标也称为压缩点(IP1dB))的混频器参数以及2阶、3阶交调截点(IP2和IP3)表示。根据式3所示线dB压缩点用于预测混频器增益降低1dB时对应的输入功率:

  当两个频率几乎相同的大信号作用到混频器的输入时,混频器应该也能够转换微弱信号。该性能通常用3阶交调截点(IP3)表示,该参数与噪声系数一起表示混频器的动态范围。IP3较大说明混频器的线性度较高。混频器数据资料还应提供混频器的输入、输出交调截点,利用式4,可以根据IIP3 (输入交调截点)计算OIP3 (输出交调截点),反之亦然:

  式中,OIP3是混频器的输出交调截点,IIP3是输入交调截点,G为变换损耗或增益。由此,对于无源混频器,混频器的变换损耗降低了OIP3。为了达到接收机要求的总体噪声系数,应该在RF或IF增益级对插入损耗进行补偿(噪声系数是在设计接收机时必须考虑的另一参数)。

  无源混频器的主要优势在于它们也可以用作上变频器。换句话说,其输入信号可以转换到更高频率。上变频器通常用于发射链路,它将IF信号变换到最终的发射频率。因为无源混频器既可用于发射链路,亦可用于接收链路,只需订购一款器件或保留一款器件的库存。

  “直接下变频接收机”将输入信号直接下变频至基带,无需IF信号。对于这种接收机,混频器的数据资料应该规定另一重要参数,即端口间隔离度。该参数用于衡量LO信号和混频器输入信号之间的隔离度。如果端口间隔离度不足,LO将与其自身信号混频,从而在混频器输出产生一个直流失调,进而降低接收机性能。

  由于混频器对频率进行变换,它将产生新的频率分量(称为混频器杂散分量)。应该对杂散分量进行全面分析,特别是(2RF - 2LO)、(3RF - 3LO)和更高阶频谱分量,它们与IF频率相吻合,直接影响接收机性能。这种现象通常在混频器数据资料中用2x2和3x3指标表示。

  除这些参数外,还必须考虑集成度。将混频器内核与LO放大器、非平衡变压器和LO开关集成在一起对于一些应用非常有益。

  目前,针对不同频率范围采用同一电路板布局可有效减轻开发工作的负荷。只需改动少数关键元件,即可将900MHz GSM接收机系统设计用于1800MHz GSM系统。

  引脚兼容的混频器系列产品非常适合采用同一通用PCB布局支持多频段无线架构的应用。最终目标是开发一个电路布局用于多种标准的无线基站,支持GSM、UMTS、WiMAX™和LTE应用。

  例如,接收链路中,类似于MAX2029的无源混频器可以对接收信号进行下变频,而同样的混频器可以在发送链路对IF信号进行上变频,将其转换到最终发射频率。图2所示电路中集成了所有外部元件:LO缓冲放大器、非平衡变压器和LO开关。

  作为下变频器,MAX2029可提供36.5dBm的IIP3、27dBm的IP1dB、6.5dB的变换损耗以及6.7dB的噪声系数。由于MAX2029的SiGe处理工艺大大提高了器件性能,非常适合要求超高线性度和低噪声系数的基站应用。

  2RF - 2LO抑制(-10dBm RF输入信号时为72dBc)有助于降低中心频率附近谐波分量的滤波要求,从而简化滤波器设计,提高性价比。MAX2029扩展了815MHz至1000MHz的低端频率范围。作为引脚兼容的混频器系列(包括MAX2039和MAX2041)产品的一员,MAX2029允许接收机采用同一PCB布局支持不同频率范围、不同通信标准的设计。

  有源混频器既可采用平衡式(吉尔伯特单元)设计,亦可采用无源混频器与IF放大器相组合的形式。例如,MAX9986即采用了第二种配置。较低的噪声系数允许混频器之前采用很低的RF增益,有助于改善接收机的线性度。另一方面,如果为了降低串联噪声系数而增大混频器前级的增益时,混频器必须具备足够高的线性度,以保证接收机的整体线性度指标。

  从互联网搜索混频器时,很难筛选出不同混频器的全部技术指标列表,需要做出优化选择。幸运的是,我们提供基于web的参数搜索工具,帮助您完成这项工作。设计工程师可利用参数搜索工具快速找到最合适的IC。在一个网页即可显示所有检索要求,列出筛选结果和相关型号。更改任何检索条件都将立即刷新型号列表。检索功能包括:单击筛选框、滑动条筛选控制、多级筛选及其它多项提示工具。提供了一种最便捷的型号查找途径。

  图3所示的搜索结果列出了具有10dB增益、专为基站设计的有源混频器。推荐型号为MAX9986。点击型号链接,即可直接进入该器件的快速浏览网页,找到相关的数据资料、应用笔记及其它更多信息。

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  组成的问路改为两个二极管(VDl)和VD2)和电阻(R1和RPl)构成的网络.使电容器Cl的充放电时间常数不等,达到改变占空比的目的。它是利用电容两端电压Uc1即运算放大器Al的②脚与@脚相比较,由此决定输出电压u。的极性是¨正还是负。u的极性又决定通过电容C1的电流是充电(使Uc增加).还是放电(使u c,减少);而uc1的大小再次决定Un的极性。如此不断反复,产生了方波。

  目前,无线基站等通信系统对接收灵敏度和大信号性能提出了非常高的要求。本文着重讨论混频器的相关问题,介绍了混频器的几个关键性能以及数据资料中提供的基本参数。文章探讨了如何选择最佳混频器优化接收通道的性能。

  随着多种通信标准广泛共存,越来越多的无线通信设备需要满足多频段、高带宽要求,这给系统设计,特别是射频...

  随着通讯设备的小型化,集成化与数字化,传统的多次变频式接收机,由于电路复杂,中频通路难以集成,存在镜...

  和特点 RF频率范围:700 MHz至3,000 MHz(连续) LO频率范围:200 MHz至2,700 MHz,高端或低端注入 IF频率范围:40 MHz至500 MHz 功率转换增益:9.0 dB 单边带(SSB)噪声系数:11.3 dB 输入IP3:30 dBm 输入 P1dB:10.6 dBm LO输入驱动:0 dBm(典型值) 单端50 Ω RF端口 单端或平衡LO输入端口 串行端口接口(SPI)控制所有功能 7 mm × 7 mm、48引脚裸露焊盘LFCSP封装 产品详情 ADRF6612是一款双通道射频(RF)混频器和中频(IF)放大器,集成锁相环(PLL)和压控振荡器(VCOs)。 ADRF6612利用革命性的宽带方波限幅本振(LO)放大器来实现前所未有的700 MHz至3000 MHz RF带宽。 与窄带正弦波LO放大器解决方案不同,LO可用于高于或低于RF输入的极宽带宽。 LO放大器不需要储能元件,因此直流功耗也随着LO频率降低而降低。 ADRF6612利用高线性度的双重平衡无源混频器内核以及集成式RF和LO平衡电路实现单端操作。 集成式RF巴伦可在700 MHz至3000 MHz RF输入频率范围内提供最佳性能。 平衡无源混频器配置能够在整个RF带宽内提供出色的LO至RF和LO至IF泄漏、出色的...

  和特点 宽带设计:20 – 42 GHz 宽IF带宽:0 – 5 GHz 转换损耗:-8.5 dB 高IIP3:22 dBm 高镜像抑制:25 dB 高LO-RF隔离:45 dB 降低IF滤波要求 产品详情 HMC8192是一款无源宽带I/Q MMIC混频器,可用作接收器镜像抑制混频器或发射器单边带上变频器。HMC8192具有20 GHz至42 GHz的RF和LO范围以及DC至5 GHz的IF带宽,非常适合需要宽频率范围、出色RF性能、更简单设计以及更少器件和更小印刷电路板(PCB)尺寸的应用。单个HMC8192可取代设计中的多个窄带混频器。HMC8192的固有I/Q架构具有出色的镜像抑制能力,因此无需进行成本高昂的干扰边带滤波。该混频器还提供出色的LO至RF和LO至IF隔离性能,并降低了LO泄漏的影响以确保信号完整性。作为一款无源混频器,HMC8192无需任何直流电源。相比有源混频器,它提供较低的噪声系数,从而确保针对高性能和精密应用具有出色的动态范围。HMC8192采用GaAs MESFET工艺制造,使用ADI公司的混频器单元和90度混合器件。该器件采用4 mm × 4 mm、25引脚紧凑型LGA封装,工作温度范围为−40°C至+85°C。该器件同时提供评估板。应用 测试与测量仪器...

  和特点 无源宽带I/Q混频器 RF和LO范围:6 GHz至26.5 GHz 宽IF带宽:DC至5 GHz 单端RF、LO和IF 转换损耗:9 dB(典型值) 镜像抑制:25 dBc(典型值) 单边带噪声指数:9 dB(典型值) 输入IP3(下变频器):24 dBm(典型值) 输入P1dB压缩点(下变频器):15 dBm(典型值) 输入IP2:55 dBm(典型值) LO至RF隔离:40 dB(典型值) LO至IF隔离:40 dB(典型值) RF至IF隔离:20 dB(典型值) 幅度平衡:±0.5 dB(典型值) 相位平衡(下变频器):±5°(典型值) RF回波损耗:15 dB(典型值) LO回波损耗:15 dB(典型值) IF回波损耗:15 dB(典型值) 裸露焊盘、4 mm × 4 mm、24引脚陶瓷LCC 封装 产品详情 HMC8191是一款无源、宽带I/Q单芯片微波集成电路(MMIC)混频器,可用作接收器镜像抑制混频器或发射器单边带上变频器。HMC8191具有6 GHz至26.5 GHz的射频(RF)和本振(LO)范围以及DC至5 GHz的中频(IF)带宽,非常适合需要宽频率范围、出色RF性能、简单设计以及更少元件和小尺寸印刷电路板(PCB)的应用。单个HMC8191可取代设计中的多个窄带混频器。 HMC8191的固有...

  和特点 射频(RF)范围:6 GHz至10 GHz 本振(LO)输入频率范围:6 GHz至10 GHz 转换损耗:典型值8 dB(6 GHz至10 GHz时) 镜像抑制:典型值23 dBc(6 GHz至10 GHz时) LO至RF隔离:43 dB(典型值) LO至中频(IF)隔离:25 dB(典型值) 输入三阶交调截点(IP3):19 dBm(典型值) 针对1 dB压缩(P1dB)的输入功率:典型值10 dBm(7.1 GHz至8.5 GHz时) 宽IF频率范围:DC至3.5 GHz 24引脚、4 mm × 4 mm、陶瓷无铅芯片载体封装 产品详情 HMC520A是一款砷化镓(GaAs)单芯片微波集成电路(MMIC)、同相正交(I/Q)混频器,采用符合RoHS标准的24引脚、陶瓷无铅芯片载体(LCC)封装。该器件可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。该混频器使用两个标准双平衡混频器单元和一个90°混合器件,均采用GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺。HMC520A为混合型镜像抑制混频器和单边带上变频器组件的小型替代器件。HMC520A无需线焊,可以使用表贴制造技术。应用 点对点微波无线电 点对多点无线电 视频卫星(VSAT) 数字无线电 仪器仪表 自动测试设备(ATE) 方框图...

  和特点 无源:无需直流偏置 转换损耗: 9 dB 镜像抑制: 20 dB(典型值) LO至RF隔离:35 dB(典型值) LO至IF隔离:25 dB(典型值) IP3:18 dBm(典型值) P1dB:17 dBm(典型值) 中频引脚频率:DC − 4.5 GHz 12引脚、3 mm × 3 mm SMT陶瓷封装产品详情 HMC524ALC3B是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q混频器,采用符合RoHS标准的无引脚SMT陶瓷封装。 该器件可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。 该混频器采用两个标准双平衡混频器单元和一个90度混合器件,均采用GaAs MESFET工艺制造。 低频正交混合器件用于产生100 MHz IF输出。 该产品为混合型镜像抑制混频器和单边带上变频器组件的小型替代器件。 HMC524ALC3B无需线焊,可以使用表贴制造技术。应用 点对点和点对多点无线电 VSAT  测试设备和传感器 军用最终用途方框图...

  和特点 无源:无需直流偏置 转换损耗:8 dB(典型值) 输入IP3:20 dBm(典型值) LO至RF隔离:47 dB(典型值) IF频率范围:DC至3.5 GHz 符合RoHS标准的24引脚、4 mm × 4 mm LCC封装产品详情 HMC525ALC4是一款砷化镓(GaAs)单芯片微波集成电路(MMIC)、同相正交(I/Q)混频器,采用符合RoHS标准的24引脚、陶瓷无铅芯片载体(LCC)封装。该器件可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。该混频器使用两个标准双平衡混频器单元和一个90°混合器件,均采用GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺。HMC525ALC4为混合型镜像抑制混频器和单边带上变频器组件的小型替代器件。HMC525ALC4无需线焊,可以使用表贴制造技术。应用 微波和甚小孔径终端无线电 测试设备 点对点无线电 军事电子战、电子对抗、以及指挥、控制、通信和情报 方框图...

  和特点 集成LO放大器: -5 dBm输入 次谐波(x2) LO 高2 LO/RF隔离: 25 dB 芯片尺寸: 1.32 x 0.97 x 0.1 mm 产品详情 HMC337芯片是一款集成LO放大器的次谐波(x2) MMIC混频器,可用作上变频器或下变频器。 该芯片利用GaAs PHEMT技术,芯片整体面积为1.28mm²。 2 LO至RF隔离性能出色,无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置(+3V至+4V)双级设计,仅需-5 dBm的标称驱动。 所有数据均采用50 ohm测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.076 mm (3 mil)、最小长度小于0.31 mm (12 mils)的焊线 GHz微波无线电 针对点对点无线电应用的上下变频器 卫星通信系统方框图...

  和特点 RF频率:连续频率:700 MHz至3000 MHz LO输入频率:200 MHz至2700 MHz,高端或低端注入 IF范围:40 MHz至500 MHz 功率转换增益:9.0 dB 800 kHz偏移时的相位噪声性能为−144 dBc/Hz,在800 MHz至900 MHz和1800 MHz至1900 MHz频段范围内支持严格的GSM标准 单边带(SSB)噪声系数:11.3 dB 输入IP3:30 dBm 输入P1dB:10.6 dBm LO输入驱动:0 dBm(典型值) 单端50 Ω RF端口 单端或平衡LO输入端口 串行端口接口(SPI)控制所有功能 裸露焊盘、7 mm × 7 mm、48引脚LFCSP产品详情 ADRF6614是一款双通道射频(RF)混频器和中频(IF)放大器,集成锁相环(PLL)和压控振荡器(VCO)。ADRF6614利用革命性的宽带方波限幅本振(LO)放大器来实现700 MHz至3000 MHz 宽带RF带宽。与窄带正弦波LO放大器解决方案不同,LO可用于高于或低于RF输入的宽带宽。LO放大器不需要储能元件,因此直流功耗也随着LO频率降低而降低。 ADRF6614利用高线性度的双重平衡无源混频器内核以及集成式RF和LO平衡电路实现单端操作。集成式RF巴伦可在700 MHz至3000 MHz RF输入频率范围内提供最佳...

  和特点 集成小数N分频PLL的宽带有源混频器 RF输入频率范围:100 MHz至2500 MHz 内部LO频率范围:1050 MHz至2300 MHz 灵活的IF输出接口 输入P1dB:12 dBm 输入IP3:29 dBm 噪声系数(单边带):12 dB 电压转换增益:6 dB 200 Ω输出匹配阻抗 通过SPI串行接口进行PLL编程 40引脚、6 mm × 6 mm LFCSP封装产品详情 ADRF6655是一款高动态范围有源混频器,集成PLL和VCO。频率合成器利用可编程整数N分频/小数N分频PLL产生本振输入,供给混频器。PLL基准输入标称值为20 MHz。基准输入可以进行分频或倍频,然后施加于PLL鉴相器。PLL支持10 MHz至160 MHz范围内的输入基准频率。鉴相器输出控制一个电荷泵,其输出在片外环路滤波器中进行积分。然后,环路滤波器输出施加于一个集成式VCO。VCO输出(2 × fLO)再施加于一个本振(LO)分频器和一个可编程PLL分频器。可编程分频器由一个Σ-Δ调制器(SDM)进行控制。SDM的模数可以在1至2047范围内编程。该宽带有源混频器采用一个偏置调整电路,允许通过提高电源电流来增强IP3性能。在典型条件下,该混频器的输入IP3超过25 dBm,单边带噪...

  和特点 集成LO放大器: -5 dBm输入 次谐波(x2) LO DC - 3 GHz带宽IF 符合RoHS标准的3x3 mm SMT封装 单正电源: +4V (31mA) 产品详情 HMC338LC3B是一款集成LO放大器的24 - 34 GHz次谐波(x2) MMIC混频器,采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 在30 dB时,2LO至RF隔离性能出色,无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置(+3V到+4V)设计,需-5 dBm的标称驱动。 RF和LO端口为隔直端口并匹配50 Ω,使用方便,同时IF的工作频率范围为DC至3 GHz。 HMC338LC3B无需线焊,可以使用表贴制造技术。 应用 点对点无线电 点对多点无线电和VSAT 测试设备和传感器 军用最终用途 SATCOM方框图...

  和特点 宽IF带宽: DC - 3 GHz RF频率: 54至64 GHz LO频率 27至32 GHz 高镜像抑制: 30 dB 无源;无需直流偏置 裸片尺寸: 1.54 x 1.41 x 0.1 mm 产品详情 HMC-MDB218是一款次谐波(x2)MMIC混频器,可用作镜像抑制混频器(IRM)或单边带上变频器。 此款无源MMIC混频器采用GaAs异质结双极性晶体管(HBT)肖特基二极管技术制造。 针对下变频应用,外部正交混合器件可用于选择所需边带同时抑制图像信号。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,Shottky器件已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-MDB218次谐波IRM可兼容常规的芯片贴装方法,以及热压缩和热超声线焊,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。 应用 短程/高容量无线电 卫星通信 军用雷达、ECM和EW 传感器 测试和测量设备 方框图...

  和特点 宽IF带宽: DC - 5 GHz 高镜像抑制: 35 dB LO至RF高隔离: 28 dB 无源: 无需直流偏置 裸片尺寸: 2.2 x 2.0 x 0.1 mm 产品详情 HMC-MDB172是一款单芯片I/Q混频器,可用作镜像抑制混频器(IRM)或单边带上变频器。 此款无源MMIC采用GaAs异质结双极性晶体管(HBT)肖特基二极管技术制造。 针对下变频应用,外部正交混合器件可用于选择所需边带同时抑制图像信号。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,Shottky器件已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-MDB172 I/Q MMIC混频器可兼容常规的芯片贴装方法,以及热压缩和热超声线焊,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。 应用 点对点无线电 VSAT 军用雷达、ECM和EW 测试和测量设备 卫星通信方框图...

  和特点 无源: 无需直流偏置 高输入IP3: 13 dBm 高LO/RF隔离: 30 dB 高2LO/RF隔离: 50 dB 宽IF带宽: DC - 12 GHz 上变频和下变频应用 裸片尺寸: 1.74 x 1.73 x 0.1 mm 产品详情 HMC1057是一款次谐波MMIC混频器,可用作镜像抑制混频器(IRM)或单边带上变频器。 此款无源MMIC混频器采用GaAs Shottky二极管技术制造。 针对下变频应用,外部正交混合器件可用于选择所需边带同时抑制图像信号。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,Shottky器件已完全钝化以实现可靠操作。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。 应用 短途/高容量无线电 测试设备和传感器 军用最终用途 E波段通信系统 汽车雷达 方框图...

  和特点 集成LO放大器:-4至+4 dBm输入 次谐波(x2) LO 高2LO/RF隔离: 30 dB DC - 6 GHz带宽IF 符合RoHS标准的3x3 mm SMT封装 产品详情 HMC264LC3B是一款集成LO放大器的21 - 31 GHz次谐波(x2) MMIC混频器,采用无引脚“无铅”SMT封装。 在30 dB时,2LO至RF隔离性能出色,无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置(+3V至+4V)双级设计,仅需-4至+4 dBm的驱动。 RF和LO端口为隔直端口并匹配50 Ω,使用方便,同时IF的工作频率范围为DC至6 GHz。 HMC264LC3B无需线焊,可以使用表贴制造技术。 应用 点对点无线电 点对多点无线电和VSAT 测试设备和传感器 军用最终用途 方框图...

  和特点 无源: 无需直流偏置 低LO功率: 9 dBm 高LO/RF隔离: 28 dB 高2LO/RF隔离: 43 dB 宽IF带宽: DC至12 GHz 上变频和下变频应用 裸片尺寸: 1.15 x 0.97 x 0.1 mm 产品详情 HMC1058是一款次谐波MMIC混频器。 它可用作上变频器或下变频器,IF端口频率范围为DC至12 GHz,RF端口频率范围为71 GHz至86 GHz。 此款无源MMIC混频器采用GaAs Shottky二极管技术制造。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,Shottky器件已完全钝化以实现可靠操作。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。 应用 E波段通信系统 测试设备和传感器 军用最终用途 汽车雷达 方框图...

  和特点 集成LO放大器: -4 dBm输入 次谐波(x2) LO 高2LO/RF隔离: 35 dB LM3 SMT封装产品详情 HMC264LM3是一款集成LO放大器的20 - 30 GHz表贴次谐波(x2) MMIC混频器,采用SMT无引脚芯片载体封装。 在25至35 dB时,2LO至RF隔离性能出色,无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置(+3V至+4V)双级设计,仅需-4 dBm的驱动。 所有数据均通过安装在50 Ω测试夹具中的非密封型、环氧树脂密封LM3封装器件获取。 采用HMC264LM3即无需线焊,从而为客户提供一致的接口。 应用 20和30 GHz微波无线电 上下变频器 点对点无线电 LMDS和SATCOM 方框图...

  和特点 集成LO放大器: -5 dBm输入 次谐波(x2) LO 高2 LO/RF隔离: 33 dB 裸片尺寸: 1.32 x 0.97 x 0.1 mm 产品详情 HMC338芯片是一款集成LO放大器的次谐波(x2) MMIC通用混频器,可在26至33 GHz的频率范围中用作上变频器或下变频器。 该芯片利用GaAs PHEMT技术,芯片整体面积为1.28mm²。 2 LO至RF隔离性能出色,无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置(+3V至+4V)双级设计,仅需-5 dBm的标称驱动。 所有数据均采用50 ohm测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.076 mm (3 mil)、最小长度小于0.31 mm (12 mils)的焊线连接。 应用 通用应用 26和33 GHz微波无线电 针对点对点无线电应用的上下变频器 卫星通信系统 方框图...

  和特点 集成LO放大器: -4 dBm输入 次谐波(x2) LO 集成IF放大器: 增益:3 dB 小尺寸: 1.32 x 1.32 x 0.1 mm 产品详情 HMC265芯片是一款集成LO和IF放大器的次谐波(x2) MMIC下变频器。 该芯片利用GaAs PHEMT技术,芯片整体面积为1.74 mm²。 2LO至RF隔离性能出色,无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置(+3V至+4V)双级设计,仅需-4 dBm的标称驱动。 所有数据均采用50 Ω测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025 mm (1 mil)、最小长度0.31 mm (12 mils)的焊线连接。 此下变频器IC对基于混合型二极管的下变频器MMIC组件是更小、更可靠的极佳替代品。 应用 微波点对点无线电 LMDS  SATCOM方框图...

  和特点 集成LO放大器: -4 dBm输入 次谐波(x2) LO 高2LO/RF隔离: 28 dB LM3 SMT封装 产品详情 HMC265LM3是一款集成LO和IF放大器的20 - 31 GHz表贴次谐波(x2) MMIC混频器下变频器,采用SMT无引脚芯片载体封装。 在28至47 dB时,2LO至RF和IF隔离性能出色,无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置(+3V至+4V)双级设计,仅需-4 dBm的驱动。 所有数据均通过安装在50 Ω测试夹具中的非密封型、环氧树脂密封LM3封装器件获取。 采用HMC265LM3即无需线焊,从而为客户提供一致的接口。 应用 20和31 GHz微波无线电 点对点无线电下变频器 LMDS 和SATCOM方框图...

  和特点 低LO功率: 10 dBm 宽IF带宽: DC - 3 GHz 镜像抑制: 21 dBc LO/RF隔离: 40 dB 高输入IP3: 17 dBm 16引脚3x3 mm SMT封装: 9 mm² 产品详情 HMC1063LP3E是一款紧凑型I/Q MMIC混频器,采用“无铅”SMT封装,可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。 该混频器采用两个标准Hittite双平衡混频器单元和一个90度混合器件,均采用GaAs Schottky二极管工艺制造。 低频正交混合器件用于产生1,000 MHz LSB IF输出。 该产品为混合型镜像抑制混频器和单边带上变频器组件的小型替代器件。 HMC1063LP3E无需线焊,可以使用表贴制造技术。 应用 点对点和点对多点无线电 军用雷达、EW和ELINT 卫星通信 传感器方框图...

  和特点 集成小数N分频PLL的接收混频器 RF输入频率范围:1000 MHz至3100 MHz 内部LO频率范围:1550 MHz至2150 MHz 输入P1dB:+12 dBm 输入IP3:+29 dBm 通过外部引脚优化IP3 SSB噪声系数:12 dB 电压转换增益:6 dB 200 Ω IF输出匹配阻抗 IF 3 dB带宽:500 MHz 可通过三线式SPI接口进行编程 40引脚6 mm × 6 mm LFCSP封装 产品详情 ADRF6602是一款高动态范围有源混频器,集成PLL和VCO。PLL/频率合成器利用小数N分频PLL产生FLO输入,供给混频器。基准输入可以进行分频或倍频,然后施加于PLL鉴相器。PLL支持12 MHz至160 MHz范围内的输入基准频率。鉴相器输出控制一个电荷泵,其输出在片外环路滤波器中进行积分。然后,环路滤波器输出施加于一个集成式VCO。VCO输出(2*FLO)再施加于一个LO分频器和一个可编程PLL分频器。可编程分频器由一个Σ-Δ调制器(SDM)进行控制。SDM的模数可以在2至2047范围内编程。有源混频器可将单端50 Ω RF输入转换为200 Ω差分IF输出。IF输出的工作频率最高可达500 MHz。ADRF6602采用先进的硅-锗BiCMOS工艺制造,提供40引脚、裸露...

  和特点 集成小数N分频PLL的Rx混频器 RF输入频率范围:1100 MHz至3200 MHz 内部LO频率范围:2100 MHz至2600 MHz 输入P1dB:14.6 dBm 输入IP3:27 dBm 通过外部引脚优化输入IP3 SSB 噪声系数IP3SET引脚开路:14.2 dB IP3SET引脚3.3 V:15.2 dB 电压转换增益:6.9 dB 200 Ω IF输出匹配阻抗 IF 3 dB 带宽:500 MHz 可通过三线式SPI接口进行编程 40引脚、6 mm × 6 mm LFCSP封装产品详情 ADRF6603是一款高动态范围有源混频器,集成小数N分频锁相环(PLL)和压控振荡器(VCO),用于内部混频器LO的产生。ADRF6603与ADRF6602共同构成了一个集成PLL/混频器系列,涵盖2100 MHz至2600 MHz频率范围。PLL基准输入支持12 MHz至160 MHz范围内的输入频率。PFD输出控制一个电荷泵,其输出驱动一个片外环路滤波器。环路滤波器输出再施加于一个集成式VCO。VCO输出(2× fLO)施加于一个LO分频器和一个可编程PLL分频器。可编程PLL分频器由一个Σ-Δ调制器(SDM)进行控制。SDM的模数可以在1至2047范围内编程。有源混频器可将单端50 Ω RF输入转换为200 Ω差分...

  和特点 功率转换损耗:7.0 dB RF频率范围:500 MHz至1500 MHz IF频率范围:DC至450 MHz 10 dBm阻塞单边带噪声指数:17 dB 输入IP3:37 dBm 输入P1dB :25 dBm 本振驱动:0 dBm(典型值) 单端50Ω RF与本振输入端口 高隔离度单刀双掷(SPDT)本振输入开关 单电源电压:3.3至5 V 5 mm × 5 mm,20引脚裸露焊盘LFCSP封装 2000V HBM / 500V FICDM ESD性能产品详情 ADI参考设计:混合信号数字预失真(MSDPD)平台ADL5367利用一个高线性度双平衡无源混频器内核以及集成的RF与本振平衡电路来实现单端工作。ADL5367内置一个RF巴伦,能够利用高端本振注入,在700至1000 MHz的RF输入频率范围内实现最佳性能。(用于低端本振注入的引脚兼容器件也已供应。)平衡的无源混频器提供良好的本振至射频泄漏(典型值优于-20 dBm),以及出色的互调性能。在手机应用中,带内阻塞信号可能会导致动态性能下降,ADL5367的平衡混频器内核能够提供极高的输入线性度,非常适合于要求严苛的手机应用。对于低压应用,ADL5367能在低至3V的电压下工作,并大幅降低直流电流。两个数字逻辑输入使得用户能够控制一个内部电阻串数模...

  和特点 宽IF带宽: DC - 2 GHz 镜像抑制: 28 dB LO至RF隔离: 38 dB 高输入IP3: +25 dBm 密封模块 可现场更换的同轴连接器 工作温度范围为-55至+85℃ 产品详情 HMC-C042是一款无源I/Q MMIC混频器,封装在微型密封模块中,可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。该模块采用两个标准Hittite双平衡混频器单元和一个90度混合器件,均采用GaAs MESFET工艺制造。 低频正交混合器件用于产生100 MHz USB IF输出。 这个基于MMIC的模块可以替代混合型I/Q混频器和单边带变频器组件,而且更加可靠。 该模块带有可移除的SMA连接器,这些连接器可以拆卸,以便将模块I/O引脚直接连接到微带或共面电路。 应用 点对点无线电 点对多点无线电和VSAT 测试设备和传感器 军用最终用途方框图...

  和特点 宽IF带宽: DC - 18 GHz 无源双平衡拓扑结构 LO输入功率: +14 dBm 裸片尺寸: 1.55 x 1.4 x 0.1 mm 产品详情 HMC-MDB277是一款无源双平衡MMIC混频器,采用GaAs异质结双极性晶体管(HBT)肖特基二极管技术,可用作上变频器或下变频器。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,Shottky器件已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-MDB277双平衡混频器可兼容常规的芯片贴装方法,以及热压缩和热超声线焊,非常适合MCM和混合微电路应用。 这款紧凑型MMIC可以取代混合型双平衡式混频器,而且体积要小得多,性能更加稳定。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。 应用 短程/高容量无线电 FCC E波段通信系统 汽车雷达 传感器 测试和测量设备 方框图...

  和特点 高性能有源混频器 宽带操作,频率最高达2.5 GHz 转换增益:7 dB 输入IP3:16.5 dBm LO驱动:–10 dBm 噪声系数:14 dB 输入P1dB:2.8 dBm 差分LO、IF和RF端口 50 Ω LO输入阻抗 单电源供电:5 V(50 mA,典型值) 省电模式:20 µA(典型值)产品详情 AD8343是一款高性能、宽带有源混频器,具有极低交调失真,所有端口均具有宽带宽,非常适合要求严格的发射应用或接收通道应用。AD8343的典型变频增益为7 dB。集成的LO驱动器以低LO驱动电平,支持50 Ω差分输入阻抗,有助于将外部元件数降至最少。开发差分输入可以直接与差分滤波器接口,或通过平衡-不平衡变换器(变压器)驱动,由单端源提供平衡驱动。开集差分输出可以用来驱动差分中频信号接口,或通过匹配网络或变压器转换为单端信号。以VPOS电源电压为中心时,输出摆幅为±1 V。LO驱动器电路的典型功耗为15 mA。可利用两个外部电阻来设置混频器内核电流,以达到要求的性能,总电流为20 mA至60 mA。采用5 V单电源供电时,相应的功耗为100 mW至300 mW。AD8343采用ADI公司的高性能25 GHz硅双极性IC工艺制造,提供14引脚TSSOP封装,工作温度范围为−...

  和特点 集成小数N分频PLL的接收混频器 RF输入频率范围:300 MHz至2500 MHz 内部LO频率范围:750 MHz至1160 MHz 输入P1dB:14.5 dBm 输入IP3:31 dBm 通过外部引脚优化IIP3 SSB噪声系数IP3SET引脚断开:13.5 dBIP3SET引脚接3.3 V电压:14.6 dB 电压转换增益:6.7 dB 200 Ω IF输出匹配阻抗 IF 3 dB带宽:500 MHz 可通过三线式SPI接口进行编程 40引脚、6 mm × 6 mm LFCSP封装 产品详情 ADRF6601是一款高动态范围有源混频器,集成锁相环(PLL)和压控振荡器(VCO)。PLL/频率合成器利用小数N分频PLL产生fLO输入,供给混频器。基准输入可以进行分频或倍频,然后施加于PLL鉴频鉴相器(PFD)。PLL支持12 MHz至160 MHz范围内的输入基准频率。PFD输出控制一个电荷泵,其输出驱动一个片外环路滤波器。然后,环路滤波器输出施加于一个集成式VCO。VCO输出(2 × fLO)再施加于一个LO分频器和一个可编程PLL分频器。可编程PLL分频器由一个Σ-Δ调制器(SDM)进行控制。SDM的模数可以在1至2047范围内编程。有源混频器可将单端50 Ω RF输入转换为200 Ω差分IF输出。...

  和特点 宽带、双通道、有源下变频混频器 低失真、快速建立、IF DGA RF输入频率范围:690 MHz至3.8 GHz RF输入端的可编程巴伦 差分和单端LO输入模式 差分IF输出阻抗:100 Ω 可通过三线式串行端口接口(SPI)进行编程 对于RF=1950 MHz、IF=281 MHz、高线性度模式: 电压转换增益,包括IF滤波器损耗:−5至+26.5 dB (更多详细信息,请参见数据手册) 灵活的省电模式,针对低功耗操作 通道使能后的上电时间:100 ns,典型值 3.3 V单电源 高线 mA 产品详情 ADRF6658是一款高性能、低功耗、宽带、双通道无线电频率(RF)下变频器,集成中频(IF)数字控制放大器(DGA),适用于宽带、低失真基站无线电接收机。 双通道Rx混频器为双平衡吉尔伯特单元混频器,具有高线性度和出色的图像抑制能力。 两款混频器均可将50 Ω RF输入转换为开集宽带IF输出。 在混频器输入前,RF输入端的内部可调谐巴伦可抑制RF信号谐波并衰减带外信号,从而减少输入反射和带外干扰信号。 灵活的本振(LO)架构允许使用差分或单端LO信号。 双通道IF DGA基于ADL5201和ADL5202,固定差分输出...

  目前,各种杂志上介绍的全频段调频接收头琳琅满目,但大多数接收头的混频器采用的是专用混频电路NE602...

  图2中经过简化的接收信号路径示意图显示了这些不匹配与∆A、∆fC和∆φ指定的不匹配发生的位置。只有一...

  此外,大多数 RF 频谱分析仪都缺少交流耦合功能,因此,任何直流输入元件都与内部端结电阻器或前端混频...

  随着即将到来的5G网络和ADAS的推广,毫米波系统的需求也越来越大。测试这些超宽带技术,带外部混频器...

  变频(或混频),是将信号频率由一个量值变换为另一个量值的过程。具有这种功能的电路称为变频器(或混频器...

  LTC5576 采用有源双平衡混频器内核,具有出色的端口至端口隔离度。例如,在 5.8GHz 频率和...

  本设计混频器应用于GNSS接收机,它要求接收的射频信号频率范围在1~1.6GHz之间,本混频器也要求...

  随着近些年卫星导航产业的迅猛发展,人们对射频接收机前端芯片在面积、功耗、性能、成本等方面都有了更高的...

  本视频描述了 LTC5566 的应用,该器件是一款集成了可编程增益 IF 放大器的双通道混频器,可实...

  混频器是收发机系统中的关键模块,主要作用是对频率进行变换[1]。上混频器用在发射机中,下混频器用在接...

  本次研讨会将讨论RF信号链设计所涉及到的选择和权衡问题。主要内容包括调制器与解调器、工科医(ISM)...

  本视频描述了 LTC5566 的应用,该器件是一款集成了可编程增益 IF 放大器的双通道混频器,可实...

  毫米波混频器是毫米波通信、测量、雷达、电子对抗等系统中不可缺少的关键部件。当系统使用频率进入毫米波频...

  Gotmic: 专注于40-170GHz毫米波芯片设计Gotmic是从瑞典查尔姆斯理工大学产业化独立...

  只要把两个 DAC 交错接入一个单元,你就可以有效地使一个 DAC 的采样速率增加一倍。轮流更新每个...

  Ka波段是电磁频谱的微波波段的一部分,Ka波段的频率范围为26.5-40GHz。Ka代表着K的正上方...

  详细推导了开关混频的数学过程,并在此基础上给出了其具体实现方式。理论和实践表明,基于模拟开关的混频方...

  频率转换是超外差通信和雷达电路以及很多其他有用射频/微波器件的最主要功能。对于这些非线性器件,尤其在...

  LT5560是一种双平衡有源混频器,是采用第二代高频双极型工艺制造的,因此具有大带宽和非常低的功耗。...

  组合频率干扰(包括干扰哨声和寄生通道干扰) ◆成因:一般,设混频器件在静态工作点上展开的伏安特性为i...

  5G的带宽至少需要从目前的20MHz带宽增大到100MHz甚至更高,这就意味着需要进入3.6GHz以...

  混频器是无线收发机中的核心模块, 对整个系统的性能具有很大影响。线性度、转换增益是衡量一个混频器性能...

  高性能无线基站正在经历着根本性的变化,以使高成本4G(第四代)网络的部署更可接受、更有效。同时,随着...

  二进制相移键控(BPSK)也称为双相调制,是一种简单的,流行的数字调制方案。 符号星座尽可能相距很远...

  目前,无线通信设备正朝着低电压、低功耗、低噪声和高线性度的趋势发展。混频器作为收发机中的关键模块之一...

  随着多种通信标准广泛共存,越来越多的无线通信设备需要满足多频段、高带宽要求,这给系统设计,特别是射频...

  随着GNSS的不断发展和中国北斗二代卫星导航系统的加快建设,卫星导航定位系统在各领域的应用将更加广泛...

  半导体工艺和RF封装技术的不断创新完全改变了工程师设计RF、微波和毫米波应用的方式。RF设计人员需要...

  变频,是将信号频率由一个量值变换为另一个量值的过程。具有这种功能的电路称为变频器(或混频器)。混频器...

  LTC5552 极宽的带宽和极高的性能非常适合多种应用,包括 5G 宽带无线业务、微波回程、卫星宽带...

  测量混频器杂散并不是简单的事。常常有可能盲目地相信某个 “测得的” 信号来自于有关的混频器,但实际上...

  无线基站曾经封装在采用气候控制技术的大型空间中,但现在却可以装在任意地方。随着无线网络服务提供商试图...

  为了满足智能手机功能日益提高的数据需求,现代数字移动通信系统的基础设施必须持续发展以支持更宽的带宽和...

  射频集成电路是处理高频无线讯号所有芯片的总称,通常包括:传送接收器、低杂讯放大器、功率放大器、带通滤...

  核磁共振成像采用先进的电子计算机断层成像技术,形成核磁共振计算机体层摄影,核磁共振成像的基本原理就是...

  调制尽管性能较差,然而其电路简单容易实现,工作稳定,因此得到了广泛的应用,在汽车、摩托车报警器,仓库...

  移动互联催生了很多新机会新产品,ARM在处理器和其它关键模块方面在移动互联领域都占据着领先地位。

  IDT®公司宣布,已新推出低频段 RF 混频器,该混频器可通过在拥挤频谱中为 4G LTE、3G ...

  多输入多输出(MIMO)技术正越来越多地应用于高数据速率系统,如Wi-Fi和3G/4G蜂窝技术。MI...

  今天,曾被誉为最有前途的无线GHz“毫米波”技术,已经走出实验室,进入了真实电子世界中...

  IDT 公司 宣布,已推出针对 4G 无线基站的业界最低功耗低失真多样化混频器。

  本文设计了一个基于Nordic 的nRF401收发机实现的双向RKE系统,同时采用语音芯片及其相应的...

  IDT公司宣布已推出两款面向手机基站设备的低功耗、低失真射频(RF)至中频(IF)混频器,IDT ...

  图中四路输入信号由直接耦合或阻容耦合,分别加到电子开关LF13201的引脚2、7、10和15脚,上述...

  在所有的无线设计中,混频器和调制器都支持变频并实现通信。它们确定整个信号链的基本规格。它们的接收信号...

  本文设计了一种新的折叠结构混频器,电路不使用具有大电感的LC谐振电路,工作于1. 2 V 电压时,得...

  ADRF6603是一款高动态范围有源混频器,集成小数N分频锁相环(PLL)和压控振荡器(VCO)...

  目前,无线基站等通信系统对接收灵敏度和大信号性能提出了非常高的要求。本文着重讨论混频器的相关问题,介...

  混频器,什么是混频器 混频器是典型的频谱搬移器件,它在微波通讯、雷达、遥感遥控、电子侦察与对抗、及...

  单平衡混频器,单平衡混频器的特点和原理是什么? 单平衡混频器是平衡混频器最基本的形式。实际上,它是...

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